FDG327NZ


20v n-channel powertrench mosfet

Купить FDG327NZ ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FDG327NZ
Версия для печати

Технические характеристики FDG327NZ

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияPowerTrench®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs90 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C1.5A
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds412pF @ 10V
Power - Max380mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
КорпусSC-70-6
Product Change NotificationMold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDG327NZ (MOSFET)

20V N-Channel PowerTrench MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDG327NZ datasheet
492.7 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход