FQP55N10

Версия для печати

Технические характеристики FQP55N10

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 27.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	55A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	98nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2730pF @ 25V
Power - Max	155W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQP55N10 (N-канальные транзисторные модули)

100v N-channel Mosfet

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

FQP55N10 datasheet
669.19Kb
8стр.