FQPF3N25

Версия для печати

Технические характеристики FQPF3N25

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	QFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 Ohm @ 1.15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	5.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	170pF @ 25V
Power - Max	27W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220F

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQPF3N25 (Импульсные полевые канальные транзисторы)

250v N-channel Mosfet

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

FQPF3N25 datasheet
644.54Kb
8стр.