FQPF4N80

Версия для печати

Технические характеристики FQPF4N80

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	QFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6 Ohm @ 1.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	880pF @ 25V
Power - Max	43W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220F

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQPF4N80 (MOSFET)

800V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQPF4N80 datasheet
639.8 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
74AC14MTCX		FAIR
74AC14MTCX		FAIRCHILD
74AC14MTCX
74AC14MTCX		Fairchild Semiconductor
BT136B-800E	SMD-Симистор 4A 800V 10mA DэPak	PHILIPS
BT136B-800E	SMD-Симистор 4A 800V 10mA DэPak	NXP
BT136B-800E	SMD-Симистор 4A 800V 10mA DэPak	PHILIPS
BT136B-800E	SMD-Симистор 4A 800V 10mA DэPak
HIN213ECAZ		INTERSIL
HIN213ECAZ
ST207EBTR		ST MICROELECTRONICS
ST207EBTR		ST MICROELECTRONICS SEMI	169
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ST MICROELECTRONICS	157	66.30
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	UTC
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8		6	122.40
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	STMicroelectronics
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ON Semiconductor
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	КИТАЙ
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ST MICROELECTRO
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	1