|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
10BQ100 |
|
Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
10BQ100 |
|
Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)
|
EIC
|
|
|
|
|
|
10BQ100 |
|
Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
10BQ100 |
|
Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
10BQ100 |
|
Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)
|
|
20 000
|
1.44
|
|
|
|
10BQ100 |
|
Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
10BQ100 |
|
Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
10BQ100 |
|
Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)
|
-
|
32
|
18.20
|
|
|
|
10BQ100 |
|
Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)
|
HOTTECH
|
202 980
|
5.20
|
|
|
|
10BQ100 |
|
Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
10BQ100 |
|
Диод Шоттки smd (U=100V, I=1A, Vf=0.62V@1A, -55 to +175C)
|
1
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
|
8 905
|
33.25
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН
|
162
|
91.00
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
MCR100-8G |
|
Тиристор 600В 0,8А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
3 776
|
10.00
|
|
|
|
MCR100-8G |
|
Тиристор 600В 0,8А
|
|
4 960
|
4.84
|
|
|
|
MCR100-8G |
|
Тиристор 600В 0,8А
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MCR100-8G |
|
Тиристор 600В 0,8А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MCR100-8G |
|
Тиристор 600В 0,8А
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MCR100-8G |
|
Тиристор 600В 0,8А
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
|
1
|
21.12
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МЕЗОН
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
1
|
216.48
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
РОДОН
|
1 200
|
196.80
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ХАБАРОВСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ 349В |
|
|
|
15
|
9.60
|
|