GS1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
GS1G (DC COMPONENTS)	525 676	2.01
GS1G	8 080	1.36
GS1G (YANGJIE)	20 000	1.21

Версия для печати

Технические характеристики GS1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1V @ 1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	400V
Current - Average Rectified (Io)	1A
Current - Reverse Leakage @ Vr	10µA @ 400V
Diode Type	Standard
Скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DO-214AC, SMA
Корпус	SMA

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

GS1x

LOW REVERSE LEAKAGE SCHOTTKY DIODE

Также в этом файле: GS1G

Производитель:
Microsemi Corporation
//www.microsemi.com

GS1G datasheet
91.33Kb
2стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
HGT1S20N60C3S		FAIR
STP8NA50		SGS
STP8NA50		ST MICROELECTRONICS
STP8NA50		SGS THOMSON
TISP7180H3SL		BOURNS
TISP7180H3SL
TISP7180H3SL		BOURNS
TISP7180H3SL		Bourns Inc
UCC2894DR				292.00
UCC2894DR		Texas Instruments
КР293КП3В	(5П14.3В) , Сдвоенное двунаправленное высоковольтное МОП-реле 400В/40ОМ, корпус DIP8		13	140.80
КР293КП3В	(5П14.3В) , Сдвоенное двунаправленное высоковольтное МОП-реле 400В/40ОМ, корпус DIP8	ПРОТОН	959	206.64
КР293КП3В	(5П14.3В) , Сдвоенное двунаправленное высоковольтное МОП-реле 400В/40ОМ, корпус DIP8	ИЗЛУЧАТЕЛЬ
КР293КП3В	(5П14.3В) , Сдвоенное двунаправленное высоковольтное МОП-реле 400В/40ОМ, корпус DIP8	ПРОТОН