|
Количество каналов | 1 |
Тип входа | AC, DC |
Напряжение выходное | 30V |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
Тип выхода | Transistor with Base |
Vce Saturation (Max) | 400mV |
Current - DC Forward (If) | 60mA |
Current Transfer Ratio (Min) | 20% @ 10mA |
Voltage - Isolation | 5300Vrms |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Output Type | Transistor with Base |
H11AA1X A.C. INPUT PHOTOTRANSISTOR OPTICALLY COUPLED ISOLATORS
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SA1615 | Биполярный транзистор | NEC | ||||||
2SA1615 | Биполярный транзистор | 55.80 | ||||||
ADV7171KS | ANALOG DEVICES | |||||||
ADV7171KS | ANALOG DEVICES | |||||||
BTB06-600BWRG | Симистор 6A 600V 50mA | ST MICROELECTRONICS | 55 | 114.71 | ||||
BTB06-600BWRG | Симистор 6A 600V 50mA | STMicroelectronics | ||||||
BTB06-600BWRG | Симистор 6A 600V 50mA | 16 | 108.00 | |||||
BTB06-600BWRG | Симистор 6A 600V 50mA | 1 | ||||||
M4T28-BR12SH1 | Батарея для памяти RAM Timekeeper 3В, 48mAч | ST MICROELECTRONICS | 23 | 1 574.37 | ||||
M4T28-BR12SH1 | Батарея для памяти RAM Timekeeper 3В, 48mAч | 540.00 | ||||||
M4T28-BR12SH1 | Батарея для памяти RAM Timekeeper 3В, 48mAч | STMicroelectronics | ||||||
M4T28-BR12SH1 | Батарея для памяти RAM Timekeeper 3В, 48mAч | ST MICROELECTRONICS SEMI | ||||||
M4T28-BR12SH1 | Батарея для памяти RAM Timekeeper 3В, 48mAч | SGS THOMSON | ||||||
M4T28-BR12SH1 | Батарея для памяти RAM Timekeeper 3В, 48mAч | ST MICROELECTRO | ||||||
U2008B-M | Atmel |
|