HIP6601BECB-T
|
Версия для печати
| Корпус | 8-SOIC-EP |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | 0°C ~ 85°C |
| Напряжение питания | 10.8 V ~ 13.2 V |
| Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка) | 15V |
| Число выходов | 2 |
| Число конфигураций | 1 |
| Ток пиковое значение | 400mA |
| Тип входа | PWM |
| Конфигурация | High and Low Side, Synchronous |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
HIP6601B (Управление питанием) Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers Также в этом файле: HIP6601BECB-T
Производитель:
|
