Версия для печати
Технические характеристики HIP6603BCB-T
Корпус | 8-SOIC |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | 0°C ~ 85°C |
Напряжение питания | 10.8 V ~ 13.2 V |
Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка) | 15V |
Число выходов | 2 |
Число конфигураций | 1 |
Ток пиковое значение | 400mA |
Тип входа | PWM |
Конфигурация | High and Low Side, Synchronous |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
HIP6603B (Управление питанием)
Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers
Также в этом файле:
HIP6603BCB-T
Производитель:
Intersil Corporation
//www.intersil.com
|