HN1B01FDW1T1


Купить HN1B01FDW1T1 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
HN1B01FDW1T1
Версия для печати

Технические характеристики HN1B01FDW1T1

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Transistor TypeNPN, PNP
Current - Collector (Ic) (Max)200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 6V
Power - Max380mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SC-74, SOT-457
КорпусSC-74
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход