Версия для печати
Технические характеристики IRF710

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6 Ohm @ 1.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	400V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	170pF @ 25V
Power - Max	36W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

LXE1710 Evaluation Kit Также в этом файле: IRF7105 Производитель: Microsemi Corporation //www.microsemi.com IRF710 datasheet 336.43Kb 18стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4007			DC COMPONENTS	57 076	1.85
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			PANJIT
		1N4007			FSC
		1N4007			MCC
		1N4007			DIC
		1N4007			FAIR
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			MIC	253 384	1.47
		1N4007			DIOTEC	115 084	3.07
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			LD
		1N4007			JGD
		1N4007			MING SHUN
		1N4007			MS
		1N4007			QUAN-HONG
		1N4007			XR
		1N4007			GALAXY
		1N4007			COMPACT TECHNOLOGY
		1N4007			DC COMPONENTS
		1N4007			FAIRCHILD	288
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR	1
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			MASTER INSTRUMENT CORPORATION
		1N4007			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			PANJIT	307 692
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N4007			YANGJIE SEMICONDUCT
		1N4007			Fairchild Semiconductor
		1N4007			SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4007			MICROSEMI CORP
		1N4007			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4007			GD
		1N4007			JC
		1N4007			KINGTRONICS
		1N4007			YJ	242 180	1.40
		1N4007			DIODES INC.
		1N4007			MIG
		1N4007			MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		1N4007			MOTOROLA
		1N4007			YJ ELE-NIC CORP
		1N4007			RECTIFIER
		1N4007			EXTRA COM-NTS
		1N4007			GALAXY ELECTRICAL
		1N4007			GEMBIRD
		1N4007			ТОМИЛИНО
		1N4007			EXTRA
		1N4007			КИТАЙ	800	4.54
		1N4007			DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4007			MD
		1N4007				142 816	1.72  >100 шт.   0.86
		1N4007			ONS-FAIR
		1N4007			ONS
		1N4007			ELZET
		1N4007			GALAXY ME
		1N4007			LGE	44 867	1.03
		1N4007			HOTTECH	336 223	2.69
		1N4007			KLS	792	3.10
		1N4007			YS
		1N4007			YANGJIE	8 800	1.63
		1N4007			YANGJIE (YJ)
		1N4007			MC
		1N4007			FAIRCHILD
		1N4007			WUXI XUYANG
		1N4007			KUU
		1N4007			CHINA	14 485	1.09
		1N4007			SUNRISETRON
		1N4007			UNKNOWN
		1N4007			BILIN
		1N4007			KEHE
		1N4007			1
		1N4007			BL
		1N4007			SUNTAN	83 708	1.98
		1N4007			TWGMC	37 086	1.44  >500 шт.   0.48
		1N4007			CTK
		1N4007			JUXING	123	2.13
		1N4007			ASEMI	5 492	1.18
		1N5383B		Стабилитрон 5W, 150V, 5%	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5383B		Стабилитрон 5W, 150V, 5%	MOTOROLA
		1N5383B		Стабилитрон 5W, 150V, 5%	SMK
		1N5383B		Стабилитрон 5W, 150V, 5%	DC COMPONENTS	1 033	10.72
		1N5383B		Стабилитрон 5W, 150V, 5%	SEMICRON
		1N5383B		Стабилитрон 5W, 150V, 5%			30.00
		1N5383B		Стабилитрон 5W, 150V, 5%	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N5383B		Стабилитрон 5W, 150V, 5%	MOTOROLA	19
		1N5383B		Стабилитрон 5W, 150V, 5%	Microsemi Commercial Components Group
		1N5383B		Стабилитрон 5W, 150V, 5%	ON Semiconductor
		1N5383B		Стабилитрон 5W, 150V, 5%	MICROSEMI CORP
		1N5383B		Стабилитрон 5W, 150V, 5%	ON SEMICONDUCTOR	92
		1N5383B		Стабилитрон 5W, 150V, 5%	КИТАЙ
		1N5383B		Стабилитрон 5W, 150V, 5%	DIOTEC
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	VISHAY
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	ВЗПП
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А		1 140	26.13
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	Vishay/Siliconix
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	STMicroelectronics
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	КИТАЙ
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	INFINEON	12	45.52
		RLB0914-102KL		Катушка индуктивности на ферритовом сердечнике экранированная 1мГн, 300мА, 10%, 2.1Ом	BOURNS	34 655	20.91
		RLB0914-102KL		Катушка индуктивности на ферритовом сердечнике экранированная 1мГн, 300мА, 10%, 2.1Ом			57.60
		VS-10CTQ150PBF			VISHAY/IR
		VS-10CTQ150PBF			VISHAY
		VS-10CTQ150PBF

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"