IRF710
Транзистор полевой N-канальный 400В, 2А
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 170pF @ 25V |
| Power - Max | 36W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
LXE1710 Evaluation Kit Также в этом файле: IRF7105
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
1N4007 |
|
DC COMPONENTS | 57 136 | 1.89 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PANJIT |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FSC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MCC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
DIC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PHILIPS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MIC | 254 107 | 1.47 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIOTEC | 115 188 | 3.03 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JGD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MING SHUN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
QUAN-HONG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
XR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
COMPACT TECHNOLOGY |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
DC COMPONENTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIRCHILD | 288 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GENERAL SEMICONDUCTOR | 1 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MASTER INSTRUMENT CORPORATION |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PANJIT | 307 692 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PHILIPS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF. |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE SEMICONDUCT |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
Fairchild Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICROSEMI CORP |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KINGTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YJ | 246 170 | 1.44 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIODES INC. |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MIG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MOTOROLA |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YJ ELE-NIC CORP |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
RECTIFIER |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
EXTRA COM-NTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY ELECTRICAL |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GEMBIRD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ТОМИЛИНО |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
EXTRA |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
КИТАЙ | 800 | 6.44 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
157 315 |
1.72 >100 шт. 0.86 |
|||
|
|
|
1N4007 |
|
ONS-FAIR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ONS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ELZET |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY ME |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LGE | 52 860 | 1.03 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
HOTTECH | 220 246 | 2.07 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
KLS | 4 720 | 4.13 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
YS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE | 8 800 | 1 620.49 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE (YJ) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIRCHILD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
WUXI XUYANG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KUU |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
CHINA | 14 485 | 1.09 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
SUNRISETRON |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
UNKNOWN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
BILIN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KEHE |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
1 |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
BL |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
SUNTAN | 87 261 | 2.00 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
TWGMC | 71 247 |
1.50 >500 шт. 0.50 |
||
|
|
|
1N4007 |
|
CTK |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JUXING | 123 | 2.18 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
ASEMI | 12 402 | 1.20 | ||
 |
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А | ВЗПП |
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А | 1 140 | 26.13 | ||
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А | INFINEON | 12 | 45.52 | |
 |
|
RLB0914-102KL |
|
Катушка индуктивности на ферритовом сердечнике экранированная 1мГн, 300мА, 10%, 2.1Ом | BOURNS | 15 935 | 87.82 | |
|
|
|
RLB0914-102KL |
|
Катушка индуктивности на ферритовом сердечнике экранированная 1мГн, 300мА, 10%, 2.1Ом |
|
57.60 | ||
 |
КР1533АГ3 | ЗПП |
|
|
||||
|
|
КР1533АГ3 | ИНТЕГРАЛ | 596 | 74.39 | ||||
|
|
КР1533АГ3 |
|
50.96 | |||||
|
|
КР1533АГ3 | МИНСК |
|
|
||||
|
|
КР1533АГ3 | ЗПП МИНСК |
|
|
||||
|
|
КР1533АГ3 | RUS |
|
|
||||
| ОКР1533АГ3 |
|
|
||||||
| ОКР1533АГ3 |
|
|
