IRF742

Версия для печати

Технические характеристики IRF742

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 11.5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	38nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3529pF @ 10V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.