Версия для печати
Технические характеристики IRFP9240

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 mOhm @ 7.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	44nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1200pF @ 25V
Power - Max	150W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

IRFP9240 Power Mosfet (vdss=-200v, Rds (on) =0.50ohm, Id=-12a) Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFP9240 datasheet 169.29Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	NXP	5 958	1.80  >100 шт.   0.90
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	PHILIPS	78 541	2.00  >100 шт.   1.00
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	FAIR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	GULF SEMICONDUCTOR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	RENESAS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ROHM
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	VISHAY
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	DC COMPONENTS	847	3.06
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ЦВТР
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	DIOTEC	180 490	1.71
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ST MICROELECTRONICS	42 823	1.44  >100 шт.   0.72
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	MIC	22 900	1.17
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	DI
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	БРЕСТ
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	FAIRCHILD	7 906	2.00  >100 шт.   1.00
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	GALAXY
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	FAIRCHILD	2 439
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	GULF SEMICONDUCTOR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	NXP
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	OTHER	256
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	PHILIPS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	RENESAS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ROHM
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	VISHAY
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	Fairchild Semiconductor
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	Micro Commercial Co
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	YANGJIE	4 000	1.68  >100 шт.   0.84
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	КИТАЙ	51 200	1.60  >100 шт.   0.80
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	PHILIPS SEMIC
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	MCC
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	FSC
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В		191 751	5.28
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	KINGTRONICS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	NEXPERIA
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	SEMTECH	108 445	1.60  >100 шт.   0.80
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ONS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ROHS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	YJ	292 824	1.07
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	KATO	800
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	SEHTECH
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ONS-FAIR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	GALAXY ME
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP	51 612
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ON SEMICONDUCTOR	1 332
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	KLS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	SUNTAN
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	HOTTECH	74 523	1.68  >100 шт.   0.84
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	MIG	1 107	1.60  >100 шт.   0.80
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	YANGJIE (YJ)
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ЦВЕТОТРОН (БРЕСТ)	21 425	1.60  >100 шт.   0.80
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	JANGJIE
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	PANJIT
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	1
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	LGE	58 288	1.09
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	RUME	148 400	1.40  >100 шт.   0.70
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	15.30
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	6 851	6.22
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	4 577	3.63
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		24 000	1.36
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	3 209	2.17
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	9 600	1.43
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		2 456	17.56
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	8 113	12.66
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	2 212	10.50
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTRONICS	800	35.70
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	PHILIPS
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц		6 722	9.52
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	STMICROELECTRONICS
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	MCC
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ON Semiconductor
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTR
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ON SEMIC
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	PHILIPS SEMIC
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST1
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTRO
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	МИНСК
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	NXP
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	MULTICOMP
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	CJ
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	HOTTECH
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	TRR
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	JSCJ	1 521	10.53
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	VISHAY
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIR
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	HARRIS
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERSIL
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIRCHILD
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIRCHILD
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	HARRIS
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERSIL
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	Vishay/Siliconix
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	КИТАЙ
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	ISIL
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	SILICONIX	19
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W			155.76
		IRFP240		Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"