IRLMS6802

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRLMS6802 (EVVO)	4 720	10.59

Версия для печати

Технические характеристики IRLMS6802

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	16nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1079pF @ 10V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	Micro6™(TSOP-6)
Корпус	Micro6™(TSOP-6)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLMS6802 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRLMS6802 datasheet
149 Кб