|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
HT8970 |
|
Аудио процессор обработки звука с эффектом эха, задержки сигнала от 30 мс до 300 мс и ...
|
HOLTEK
|
|
|
|
|
|
HT8970 |
|
Аудио процессор обработки звука с эффектом эха, задержки сигнала от 30 мс до 300 мс и ...
|
|
3
|
141.60
|
|
|
|
L7908CV |
|
REG -8V/1A
|
ST MICROELECTRONICS
|
26
|
48.45
|
|
|
|
L7908CV |
|
REG -8V/1A
|
|
|
37.08
|
|
|
|
L7908CV |
|
REG -8V/1A
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
L7908CV |
|
REG -8V/1A
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
L7908CV |
|
REG -8V/1A
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
L7908CV |
|
REG -8V/1A
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TL072CD |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL072CD |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
80
|
45.90
|
|
|
|
TL072CD |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
|
|
21.44
|
|
|
|
TL072CD |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TL072CD |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
28
|
|
|
|
|
TL072CD |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TL072CD |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
|
11 447
|
10.50
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
БРЕСТ
|
1 434
|
4.00
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН
|
10 628
|
12.74
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
СЗТП
|
266
|
20.40
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ОРБИТА
|
4 240
|
25.58
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
|
1 290
|
26.25
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
1 600
|
35.70
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
17 413
|
30.00
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|