|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | PNP |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 2mA, 20mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 30mA, 10V |
Power - Max | 625mW |
Frequency - Transition | 50MHz |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
Корпус | TO-92-3 |
Product Change Notification | Fe Wire Change 12/Oct/2007 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC550CG | Транзситор NPN 45, 100мA, 0.5Вт | ON Semiconductor | ||||||
BC550CG | Транзситор NPN 45, 100мA, 0.5Вт | ONS | ||||||
BC550CG | Транзситор NPN 45, 100мA, 0.5Вт | 4 | ||||||
BC556BG | ON SEMICONDUCTOR | |||||||
BC556BG | 6.56 | |||||||
BC556BG | ONS | |||||||
BC557CG | ON SEMICONDUCTOR | |||||||
BC557CG | ONS | |||||||
BC557CG | ON SEMICONDUCTOR | |||||||
MJE350G | ON Semiconductor | |||||||
MJE350G | ONS | |||||||
MJE350G | 1 602 | 25.32 | ||||||
MJE350G | ONSEMICONDUCTOR | |||||||
MJW21191 | Транзистор биполярный большой мощности | ON SEMICONDUCTOR | ||||||
MJW21191 | Транзистор биполярный большой мощности | ONS | ||||||
MJW21191 | Транзистор биполярный большой мощности | 328.52 | ||||||
MJW21191 | Транзистор биполярный большой мощности | МАЛАЙЗИЯ |
|