Версия для печати
Технические характеристики LM833D

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип усилителя	Audio
Число каналов	2
Скорость нарастания выходного напряжения	7 V/µs
Полоса пропускания	15MHz
Ток - входного смещения	300nA
Напряжение входного смещения	300µV
Ток выходной	4mA
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	5 V ~ 30 V, ±2.5 V ~ 15 V
Рабочая температура	-40°C ~ 105°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5361BG			ONS
		1N5361BG			ON Semiconductor
		1N5361BG			ON SEMICONDUCTOR	40
		1N5361BG
		1N5361BG			ONSEMICONDUCTOR
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	SIGNETICS	27	24.00
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	FAIR
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	ST MICROELECTRONICS
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns		27	34.30
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	FAIRCHILD
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	FAIRCHILD
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	SIGNETICS
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	STMicroelectronics
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	Fairchild Semiconductor
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	NATIONAL SEMIC
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	ST MICROELECTRONICS SEMI
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	ONS
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	400	43.35
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	1 296	13.63
		STP8NK100Z		N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet	ST MICROELECTRONICS
		STP8NK100Z		N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet			557.60
		STP8NK100Z		N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet	STMicroelectronics
		STP8NK100Z		N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TDA1305T			PHILIPS
		TDA1305T
		TDA1305T			PHILIPS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"