Версия для печати
Технические характеристики MIC4421ABM

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Конфигурация	Low-Side
Тип входа	Inverting
Время задержки	15ns
Ток пиковое значение	9A
Число конфигураций	1
Число выходов	1
Напряжение питания	4.5 V ~ 18 V
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOIC

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Драйверы MOSFET (внешнее переключение)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRF7416PBF		Силовой МОП-Транзистор P-канальный (Vds=-30V, Id=-10A@t=25C, Id=-7.1A@t=70C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF7416PBF		Силовой МОП-Транзистор P-канальный (Vds=-30V, Id=-10A@t=25C, Id=-7.1A@t=70C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	4
		IRF7416PBF		Силовой МОП-Транзистор P-канальный (Vds=-30V, Id=-10A@t=25C, Id=-7.1A@t=70C, ...		386	38.72
		IRF7416PBF		Силовой МОП-Транзистор P-канальный (Vds=-30V, Id=-10A@t=25C, Id=-7.1A@t=70C, ...	INFINEON
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	VISHAY
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...		4	144.00
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	Vishay/Siliconix
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	КИТАЙ
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	1
		КТ355А					124.80
		КТ355А			СВЕТЛАНА

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"