MMBT5550LT1

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MMBT5550LT1 (ON SEMICONDUCTOR.)	1 123	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики MMBT5550LT1

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	140V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	60 @ 10mA, 5V
Power - Max	225mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MMBT5550LT1

High Voltage Transistors NPN Silicon

Также в этом файле: MMBT5550LT1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

MMBT5550LT1 datasheet
101.03Kb
6стр.