Версия для печати
Технические характеристики MPSW42

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	300V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 2mA, 20mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 30mA, 10V
Power - Max	1W
Frequency - Transition	50MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-92-3 (Long Body), TO-226
Корпус	TO-92

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRGB10B60KD			INTERNATIONAL RECTIFIER	449	84.00
		IRGB10B60KD			INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRGB10B60KD
		J112		Транзистор FET N-К.35В 0.05A TO92	FAIR
		J112		Транзистор FET N-К.35В 0.05A TO92	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		J112		Транзистор FET N-К.35В 0.05A TO92	ON SEMICONDUCTOR
		J112		Транзистор FET N-К.35В 0.05A TO92	SILICONIX
		J112		Транзистор FET N-К.35В 0.05A TO92	FAIRCHILD
		J112		Транзистор FET N-К.35В 0.05A TO92	FAIRCHILD
		J112		Транзистор FET N-К.35В 0.05A TO92	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		J112		Транзистор FET N-К.35В 0.05A TO92	ON SEMICONDUCTOR
		J112		Транзистор FET N-К.35В 0.05A TO92	SILICONIX
		J112		Транзистор FET N-К.35В 0.05A TO92	Fairchild Semiconductor
		J112		Транзистор FET N-К.35В 0.05A TO92	ONS-FAIR
		J112		Транзистор FET N-К.35В 0.05A TO92	ONS	38	72.72
		J112		Транзистор FET N-К.35В 0.05A TO92			225.20
		J112		Транзистор FET N-К.35В 0.05A TO92	ONSEMICONDUCTOR
		MJE802		Транзистор биполярный составной	ON SEMICONDUCTOR
		MJE802		Транзистор биполярный составной	ST MICROELECTRONICS
		MJE802		Транзистор биполярный составной			91.12
		MJE802		Транзистор биполярный составной	ST MICROELECTRONICS SEMI
		MJE802		Транзистор биполярный составной	STMicroelectronics
		MPS4250			ON SEMICONDUCTOR
		MPS4250			ON SEMICONDUCTOR
		MPS4250
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	NEC
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	FAIR
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	ON SEMICONDUCTOR
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	PHILIPS
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	SIGNETICS
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	TEXAS INSTRUMENTS
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	FAIRCHILD
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	ON SEMICONDUCTOR
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	TEXAS
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	TEXAS INSTRUMEN
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C			39.52

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"