MTP6P20E


MTP6P20E (заказ)
MTP6P20E

Технические характеристики MTP6P20E

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs1 Ohm @ 3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C6A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds750pF @ 25V
Power - Max75W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru