Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10K |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10K |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Power - Max | 338mW |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SC-59 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
24LC256-I/P |
|
ИС памяти 1256бит, 132кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
MICRO CHIP
|
3 765
|
131.12
|
|
|
|
24LC256-I/P |
|
ИС памяти 1256бит, 132кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
|
440
|
138.32
|
|
|
|
24LC256-I/P |
|
ИС памяти 1256бит, 132кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
24LC256-I/P |
|
ИС памяти 1256бит, 132кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
24LC256-I/P |
|
ИС памяти 1256бит, 132кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
24LC256-I/P |
|
ИС памяти 1256бит, 132кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
MICRO CHIP
|
52
|
|
|
|
|
24LC256-I/P |
|
ИС памяти 1256бит, 132кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
584
|
|
|
|
|
24LC256-I/SM |
|
Энергонезависимая память EEPROM, 256K, I2C, 400kHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
24LC256-I/SM |
|
Энергонезависимая память EEPROM, 256K, I2C, 400kHz
|
|
|
126.28
|
|
|
|
24LC256-I/SM |
|
Энергонезависимая память EEPROM, 256K, I2C, 400kHz
|
MICRO CHIP
|
60
|
|
|
|
|
24LC256-I/SM |
|
Энергонезависимая память EEPROM, 256K, I2C, 400kHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
24LC256-I/SM |
|
Энергонезависимая память EEPROM, 256K, I2C, 400kHz
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
24LC256-I/SM |
|
Энергонезависимая память EEPROM, 256K, I2C, 400kHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
288
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
MICRO CHIP
|
637
|
113.65
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
|
|
220.00
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
MICRO CHIP
|
25
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
32
|
|
|
|
|
24LC512-I/SM |
|
EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс
|
MICRO CHIP
|
8
|
108.90
|
|
|
|
24LC512-I/SM |
|
EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс
|
|
|
169.84
|
|
|
|
24LC512-I/SM |
|
EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/SM |
|
EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/SM |
|
EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/SM |
|
EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
602
|
|
|
|
|
AD7228ABR |
|
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD7228ABR |
|
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|