MUN5232T1G
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 4.7K |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 4.7K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Power - Max | 202mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-70, SOT-323 |
| Корпус | SC-70-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
MUN52xxT1 (Универсальные биполярные транзисторы) NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network Также в этом файле: MUN5232T1G
Производитель:
|
