NE85633-T1B-R25
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
| Frequency - Transition | 7GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz |
| Gain | 9dB |
| Power - Max | 200mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
