Версия для печати
Технические характеристики NJM4560M

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Тип усилителя	General Purpose
Число каналов	2
Скорость нарастания выходного напряжения	4 V/µs
Полоса пропускания	10MHz
Ток - входного смещения	40nA
Напряжение входного смещения	500µV
Ток выходной	4.3mA
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	±4 V ~ 18 V
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Корпус	8-DMP

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5361BG			ONS
		1N5361BG			ON Semiconductor
		1N5361BG			ON SEMICONDUCTOR	40
		1N5361BG
		1N5361BG			ONSEMICONDUCTOR
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	SIGNETICS
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	FAIR
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	ST MICROELECTRONICS
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns		2	75.60
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	FAIRCHILD
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	FAIRCHILD
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	SIGNETICS
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	STMicroelectronics
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	Fairchild Semiconductor
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	NATIONAL SEMIC
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	ST MICROELECTRONICS SEMI
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	ONS
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	32.13
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	4 389	12.40
		NJM4560D			MATSUSHITA
		NJM4560D			NJR
		NJM4560D				2	16.00
		NJM4560D			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		NJM4560D			JRC
		STP8NK100Z		N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet	ST MICROELECTRONICS
		STP8NK100Z		N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet			557.60
		STP8NK100Z		N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet	STMicroelectronics
		STP8NK100Z		N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"