NSTB60BDW1T1G


Купить NSTB60BDW1T1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NSTB60BDW1T1G
Версия для печати

Технические характеристики NSTB60BDW1T1G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor Type1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Current - Collector (Ic) (Max)150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)22K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)47K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Frequency - Transition140MHz
Power - Max250mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
КорпусSC-88
Product Change NotificationWire Change 08/Jun/2009
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
ERSA I-CON NANO
Компактный одноканальный микропроцессорный блок мощностью ~70 Вт c миниатюрным паяльником i-Tool nano для пайки SMT и стандартных компонентов. Регулир...
Купить
IRF7313QPBF
Транзистор МОП N-канальный dual (30V, 6.5A, 2Вт)
Купить
DS8314
Ис интерфейса для смарт-карт и sim карт с низкой рассеиваемой мощностьюОсобенности: Аналоговый интерфейс и сдвиг уровней для связи с пластиковыми кар...
Купить
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход