NTHD4508NT1
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 180pF @ 10V |
| Power - Max | 1.13W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-ChipFET™ |
| Корпус | ChipFET |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
NTHD4508N Power MOSFET 20 V, 4.1 A, Dual N-Channel ChipFETt Также в этом файле: NTHD4508NT1, NTHD4508NT1G
Производитель:
|
