Версия для печати
Технические характеристики NTHD5903T1
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 7.4nC @ 4.5V |
| Power - Max | 1.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-ChipFET™ |
| Корпус | ChipFET |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | М42301 1-0-1А
точность 1,5; 2,5; 60х60х50
816.00 руб Купить |
 | AM15E-2412DZ
DC/DC преобразователь мощностью 15Вт, вход 18-36В, выход ±12В ±625мА. Rизол. 1.5кВ
Купить |
 | DFC10E12S15
Dc/dc преобразователь мощностью 11 вт
Купить |
