NTJD4105CT1
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 375 mOhm @ 630mA, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V, 8V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 630mA, 775mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 3nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 46pF @ 20V |
| Power - Max | 270mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SOT-363 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
NTJD4105C (Полевые МОП транзисторы) Small Signal MOSFET 20V / -8.0 V, Complementary, +0.63A / -0.775 A Также в этом файле: NTJD4105CT1, NTJD4105CT1G
Производитель:
|
