NTJS3151PT1
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 400mV @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 850pF @ 12V |
| Power - Max | 625mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SOT-363 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
NTJS3151P (Мощные полевые МОП транзисторы) Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P-Channel, ESD Protected SC-88 Также в этом файле: NTJS3151PT1, NTJS3151PT1G
Производитель:
|
