NTLJF3117PT1G
|
Версия для печати
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 531pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2A, 4.5V |
| FET Feature | Diode (Isolated) |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Power - Max | 710mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-WDFN Exposed Pad |
| Корпус | 6-WDFN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
NTLJF3117P (Мощные полевые МОП транзисторы) Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, -4.1 A, P-Channel, with 2.0A Schottky Barrier Diode Также в этом файле: NTLJF3117PT1G
Производитель:
|
