NTR1P02T1

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
NTR1P02T1 (ON SEMICONDUCTOR.)	620	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики NTR1P02T1

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 1.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	2.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	165pF @ 5V
Power - Max	400mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Product Change Notification	Product Discontinuation 20/Aug/2008 Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTR1P02T1 (MOSFET)

Power MOSFET ?20 V, ?1 A, P?Channel SOT?23 Package

Производитель:
ON Semiconductor

NTR1P02T1 datasheet
56.7 Кб