PBSS9110Y


Купить PBSS9110Y ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
PBSS9110Y
Версия для печати

Технические характеристики PBSS9110Y

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)100V
Current - Collector (Ic) (Max)1A
Transistor TypePNP
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic320mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce150 @ 500mA, 5V
Power - Max625mW
Frequency - Transition100MHz
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
КорпусSOT-363
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PBSS9110Y (Универсальные биполярные транзисторы)

100 V, 1A PNP low VCEsat (BISS) transistor

Также в этом файле: PBSS9110Y1

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PBSS9110Y datasheet
100.79Kb
13стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход