PC123Y2

Версия для печати

Технические характеристики PC123Y2

Корпус (размер)	4-DIP
Тип выхода	Transistor
Vce Saturation (Max)	200mV
Current - DC Forward (If)	50mA
Ток выходной / канал	50mA
Тип входа	DC
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Количество каналов	1
Voltage - Isolation	5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min)	50% @ 5mA
Current Transfer Ratio (Max)	400% @ 5mA
Напряжение выходное	70V
Тип монтажа	Выводной
Output Type	Transistor

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC5793	NPN hi-res, 1600V, 20A, 95W, Tf<200nS	SANYO
2SC5793	NPN hi-res, 1600V, 20A, 95W, Tf<200nS			367.60
2SC5793	NPN hi-res, 1600V, 20A, 95W, Tf<200nS	SAN
STRX6750		SANKEN
STRX6750		SK
STRX6750				339.04
STRX6750		КИТАЙ
STRX6750		4-7 НЕДЕЛЬ	360
STRX6757	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=0W	SANKEN
STRX6757	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=0W	SK
STRX6757	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=0W			371.44
STRX6757	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=0W	КИТАЙ
STRX6757	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=0W	4-7 НЕДЕЛЬ	291
STV9380A		ST MICROELECTRONICS
STV9380A
STV9380A		1
STV9380A		4-7 НЕДЕЛЬ	408
TL431BIDBZR		TEXAS INSTRUMENTS	355	4.91
TL431BIDBZR			14	56.70
TL431BIDBZR		NXP
TL431BIDBZR		TEXAS INSTRUMENTS	2 245
TL431BIDBZR		TEXAS
TL431BIDBZR		TEXASINSTRUMENTS
TL431BIDBZR		NEX-NXP
TL431BIDBZR		NXP/NEXPERIA	70	13.31
TL431BIDBZR		YOUTAI
TL431BIDBZR		4-7 НЕДЕЛЬ	384