| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
6 084
|
42.00
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ST MICROELECTRONICS
|
5
|
30.24
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
АЛЬФА РИГА
|
8
|
30.24
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
NS
|
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
РОДОН
|
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
PHILIPS
|
1
|
42.00
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS
|
1 266
|
27.95
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
|
641
|
18.90
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
1
|
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
HGSEMI
|
1 349
|
11.34
|
|
|
|
|
LM3578AN |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM3578AN |
|
|
|
2
|
207.90
|
|
|
|
|
LM3578AN |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM3578AN |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
23
|
|
|
|
|
|
LM3578AN |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
|
M24C64-WBN6P |
|
ИМС EEPROM I2C 8kx8
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M24C64-WBN6P |
|
ИМС EEPROM I2C 8kx8
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
M24C64-WBN6P |
|
ИМС EEPROM I2C 8kx8
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
M24C64-WBN6P |
|
ИМС EEPROM I2C 8kx8
|
|
|
|
|
|
|
|
M24C64-WBN6P |
|
ИМС EEPROM I2C 8kx8
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
|
175
|
462.50
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
804
|
42.00
|
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
|
1 471
|
55.50
|
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
Версия для печати
