PDTA114EE

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PDTA114EE		18.00

Версия для печати

Технические характеристики PDTA114EE

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	10K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	10K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)	1µA
Power - Max	150mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-75, SOT-416
Корпус	SOT-416

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PDTA114EEF (Универсальные биполярные PNP транзисторы)

PNP resistor-equipped transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PDTA114EE datasheet
56.86Kb
8стр.