PDTB113ET

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PDTB113ET (NXP.)	1 920	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PDTB113ET

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	1K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	1K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	33 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
Power - Max	250mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.