PDTC143TE


Купить PDTC143TE ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
PDTC143TE
Версия для печати

Технические характеристики PDTC143TE

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)4.7K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)1µA
Power - Max150mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SC-75, SOT-416
КорпусSOT-416
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PDTC143T (Биполярные транзисторы с резисторным каскадом)

NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kOHM, R2 = open

Также в этом файле: PDTC143TE, PDTC143TEF

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PDTC143TE datasheet
90.88Kb
14стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход