PDTC143ZK


Купить PDTC143ZK ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
PDTC143ZK
Версия для печати

Технические характеристики PDTC143ZK

Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)4.7K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)47K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)1µA
Power - Max250mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусSMT3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PDTC143Z (Биполярные транзисторы с резисторным каскадом)

NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kW, R2 = 47 kW

Также в этом файле: PDTC143ZK

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PDTC143ZK datasheet
92.19Kb
14стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход