PDTC143ZK
|
Версия для печати
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 4.7K |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| Power - Max | 250mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SMT3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
PDTC143Z (Биполярные транзисторы с резисторным каскадом) NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kW, R2 = 47 kW Также в этом файле: PDTC143ZK
Производитель:
|
