PDTD123EK


Купить PDTD123EK ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
PDTD123EK
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
PDTD123EK (PHILIPS.) 4 363 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PDTD123EK

Current - Collector (Ic) (Max)500mA
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)2.2K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)2.2K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Power - Max250mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусSMT3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PDTD123E

NPN 500 mA, 50V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 2.2 kW

Также в этом файле: PDTD123EK

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PDTD123EK datasheet
66.85Kb
10стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход