PEMB14

Версия для печати

Технические характеристики PEMB14

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	47K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)	1µA
Power - Max	300mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SOT-666
Корпус	SOT-666

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Р С›Р ТђР вЂєР С’Р вЂќР ВР СћР вЂўР вЂєР В¬ Р С›131
Р В Р В°Р Т‘Р С‘Р В°РЎвЂљР С•РЎР‚ Р С•РЎвЂ¦Р В»Р В°Р В¶Р Т‘Р ВµР Р…Р С‘РЎРЏ Р Т‘Р Р†РЎС“РЎвЂ¦РЎРѓРЎвЂљР С•РЎР‚Р С•Р Р…Р Р…Р С‘Р в„– РЎР‚Р ВµР В±РЎР‚Р С‘РЎРѓРЎвЂљРЎвЂ№Р в„–, Р В°Р В»РЎР‹Р СР С‘Р Р…Р С‘Р ВµР Р†РЎвЂ№Р в„–Р СљР С•РЎвЂ°Р Р…Р С•РЎРѓРЎвЂљРЎРЉ Р С•РЎвЂљР Р†Р С•Р Т‘Р С‘Р СР С•Р С–Р С• РЎвЂљР ВµР С—Р В»Р В° 2800Р С•Р РЋ/Р вЂ™РЎвЂљР В Р ВµР В·РЎРЉР В±Р В° РЎС“РЎвЂљР В°Р Р…Р С•Р Р†Р С•РЎвЂЎР Р…Р В°РЎРЏ Р Сљ8Р С› - Р С•РЎвЂ¦Р В»Р В°Р Т‘Р С‘РЎвЂљР ВµР В»РЎРЉ Р Р†Р С•Р В·Р Т‘РЎС“РЎв‚¬Р Р…РЎвЂ№Р в„–&nbsp;1- Р Р…...
680.00 РЎР‚РЎС“Р В± Р С™РЎС“Р С—Р С‘РЎвЂљРЎРЉ

KPC-3216CGCK
Р РЋР Р†Р ВµРЎвЂљР С•Р Т‘Р С‘Р С•Р Т‘ Р Т‘Р В»РЎРЏ Р С—Р С•Р Р†Р ВµРЎР‚РЎвЂ¦Р Р…Р С•РЎРѓРЎвЂљР Р…Р С•Р С–Р С• Р СР С•Р Р…РЎвЂљР В°Р В¶Р В° 3.2РЎвЂ¦1.6Р СР С Р В Р В°Р В·Р СР ВµРЎР‚ Р С”Р С•РЎР‚Р С—РЎС“РЎРѓР В° 3.2РЎвЂ¦1.6РЎвЂ¦1.1Р СР С. Р СљР В°Р В»Р С•Р Вµ Р С—Р С•РЎвЂљРЎР‚Р ВµР В±Р В»Р ВµР Р…Р С‘Р Вµ. Р РЃР С‘РЎР‚Р С•Р С”Р С‘Р в„– РЎС“Р С–Р С•Р В» Р С•Р В±Р В·Р С•РЎР‚Р В°. Р Р€РЎР‚Р С•Р Р†Р ВµР Р…РЎРЉ РЎвЂЎРЎС“Р Р†РЎРѓРЎвЂљР Р†Р С‘РЎвЂљР ВµР В»РЎРЉР Р…Р С•РЎРѓРЎвЂљР С‘ Р С” Р Р†Р В»...
Р С™РЎС“Р С—Р С‘РЎвЂљРЎРЉ

PIC18F2580-I/SO
32 KB EnhFlash, 256 EE, 1536 RAM
Р С™РЎС“Р С—Р С‘РЎвЂљРЎРЉ

PEMB14

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Транзисторы

Транзисторы (биполярные) - сборки, со встроенными резисторами