PH3120L

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PH3120L (PHILIPS.)	21 817	3-4 недели Цена по запросу
PH3120L (NXP.)	3 206	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PH3120L

Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.65 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	100A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	48.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4457pF @ 10V
Power - Max	62.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-100, SOT-669
Корпус	LFPAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PH3120L (MOSFET)

N-channel TrenchMOS(tm) logic level FET

Производитель:
NXP

PH3120L datasheet
84.2 Кб