PHB29N08T

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PHB29N08T (PHILIPS.)	9 249	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PHB29N08T

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchMOS™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 14A, 11V
Drain to Source Voltage (Vdss)	75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	27A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 2mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	810pF @ 25V
Power - Max	88W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PHB29N08T (MOSFET)

N-канальный TrenchMOS™ транзистор со стандартным уровнем FET

Производитель:
NXP

PHB29N08T datasheet
262.9 Кб