PHD18NQ10T

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PHD18NQ10T (PHILIPS.)	1 663	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PHD18NQ10T

Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free by exemption / RoHS compliant by exemption
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	633pF @ 25V
Power - Max	79W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PHD18NQ10T (MOSFET)

N-канальный TrenchMOS™ транзистор

Производитель:
NXP

PHD18NQ10T datasheet
121.8 Кб