PHD20N06T

Версия для печати

Технические характеристики PHD20N06T

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	77 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	11nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	422pF @ 25V
Power - Max	51W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PHD20N06T (MOSFET)

N-channel TrenchMOS (tm) transistor

Производитель:
NXP

PHD20N06T datasheet
307.5 Кб