PHD3055E
Trenchmos (tm) standard level fet
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | TrenchMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5.8nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V |
| Power - Max | 33W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
PHD3055E (MOSFET) TrenchMOS (tm) standard level FET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IR3310 -5-T | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IR3310 -5-T |
|
|
||||||
 |
Д245А | 172 | 181.09 | |||||
|
|
Д245А | САРАНСК | 321 | 90.00 | ||||
|
|
Д245А | П/П 2 |
|
|
||||
|
|
Д245А | СЗТП | 8 | 295.80 | ||||
|
|
Д245А | САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО |
|
|
||||
| К10-17 0.1МКФ X7R 100В |
|
|
||||||
| К10-17 0.22МКФ X7R 50В |
|
|
||||||
 |
 |
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА | 6 912 | 9.45 | ||
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА | НЗПП | 800 | 37.39 | |
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА | НОВОСИБИРСК |
|
|
|
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА | ХЕРСОН |
|
|
|
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА | САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ |
|
|
|
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА | RUS |
|
|
|
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА | НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП |
|
|
