PHD55N03LTA

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PHD55N03LTA (PHILIPS.)	184	3-4 недели Цена по запросу
PHD55N03LTA (NXP.)	6 158	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PHD55N03LTA

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchMOS™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	55A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	20nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	950pF @ 25V
Power - Max	85W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PHx55N03LTA (Мощные полевые МОП транзисторы)

N-channel Enhancement Mode Field-effect Transistor

Также в этом файле: PHD55N03LTA

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PHD55N03LTA datasheet
275.1Kb
14стр.