PHE13009


Купить PHE13009 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
PHE13009
Версия для печати

Технические характеристики PHE13009

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypeNPN
Current - Collector (Ic) (Max)12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)400V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max)100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce8 @ 5A, 5V
Power - Max80W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PHE13009 (Мощные биполярные транзисторы)

Silicon Diffused Power Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PHE13009 datasheet
63.13Kb
7стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход