PHK28NQ03LT

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PHK28NQ03LT (PHILIPS.)	3 076	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PHK28NQ03LT

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 14A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	23.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	30.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2800pF @ 20V
Power - Max	6.25W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PHK28NQ03LT (MOSFET)

TrenchMOS (tm) logic level FET

Производитель:
NXP

PHK28NQ03LT datasheet
243.5 Кб